Especificações de tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3
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Aparência: |
Granular branco ou claro |
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Ensaio em peso%: |
99,9% min |
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HF: |
55.728–57.2 |
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AL: |
0. 001010% máx |
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CA: |
0. 0015% máx |
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Cu: |
0. 001010% máx |
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Fe:ã |
0. 0020% max |
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Mg: |
0. 001010% máx |
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MN: |
0. 001010% máx |
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MO: |
0. 001010% máx |
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NB: |
0. 01% máx |
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Ni:ã |
0. 003% max |
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Si: |
0. 005% máx |
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Ti: |
0. 001% máx |
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V: |
0. 001% máx |
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Zn: |
0. 001% máx |
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ZR: |
0. 02% máx |
Informações de transporte do tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3
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Parâmetro |
Especificação |
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Número da ONU |
3260 |
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Aula |
8 |
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Grupo de embalagem |
Ii |
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Código HS |
8112490000999 |
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Estabilidade e reatividade |
Sensível a umidade |
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Armazenar |
Não use recipientes de metal. Sensível à umidade |
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Condição para evitar |
Sensível a umidade |
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Pacote |
Visão geral
O tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3 é um composto de halogeneto de hafnium, um metal de transição com propriedades químicas semelhantes ao zircônio. O HFCL₄ é usado principalmente como precursor nos processos de deposição de vapor químico (DCV) e deposição da camada atômica (ALD), particularmente em ciência e eletrônica avançadas de materiais.
Aplicações deTetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3
1. Indústria de semicondutores
Precursor de material dielétrico de alto k
● Processos CVD e ALD: o tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3 é um precursor-chave para depositar o dióxido de hafnium (HFO₂) filmes finos, que são usados como dielétricos de alto k em microprocessadores e chips de memória.
● Isoladores de porta em dispositivos CMOS: as camadas HFO₂ substituem o SiO₂ tradicional em pilhas de portão de MOSFETs para reduzir as correntes de vazamento e melhorar o desempenho à medida que os transistores encolhem para a escala de nanômetros.
2. Aplicações nucleares
● Componentes de controle do reator nuclear: Hafnium tem uma capacidade excepcional de absorver nêutrons. O tetracloreto de hafnium é usado na produção de metal de Hafnium de alta pureza, que é utilizado em hastes de controle em reatores nucleares.
● Produção metálica do Hafnium: HFCL₄ pode ser reduzida por magnésio ou sódio em um processo de alta temperatura (redução do tipo Kroll) para obter o hafnio metálico.
3. Catalisador e precursor do catalisador
● Catalisador de ácido de Lewis: HFCL₄ funciona como um forte ácido de Lewis, útil na catalisação de reações orgânicas, como acilação, alquilação e polimerizações de Friedel -Crafts.
● Química organometálica: empregada como material inicial para produzir complexos organometálicos à base de hafnium, que são de interesse em pesquisa e catálise (por exemplo, polimerização de olefina).
4. Síntese de materiais avançados
● Nanomateriais e cerâmicas: usados para criar cerâmica, óxidos e materiais de carboneto contendo hafnium com estabilidade de alta temperatura e resistência à corrosão.
● Precursores para revestimentos de super-hard: Na ciência dos materiais, os compostos de hafnium derivados de HFCl₄ são usados para fabricar revestimentos ultra duráveis para ferramentas de corte, componentes aeroespaciais e lâminas de turbinas.
5. Revestimentos ópticos
● O dióxido de hafnium (HFO₂), derivado de HFCL₄, é usado em revestimentos ópticos de alto desempenho:
Revestimentos OANTireflection
Espelhos Olaser
filtros OUV e IR
Seu alto índice de refração e transparência em uma ampla faixa de espectro o tornam um material ideal na indústria de óptica de precisão.
Benefícios deTetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3
1. Alta pureza e adequação para deposição de filme fino
● Volátil e reativo: HFCL₄ sublima facilmente, tornando-o ideal para processos de fase de vapor como ALD\/CVD, garantindo um crescimento uniforme e conforme do filme.
● Deposição controlada: permite o controle da camada atômica, essencial para dispositivos e nanoestruturas de semicondutores de última geração.
2. Propriedades elétricas superiores de derivados
● Filmes finos HFO₂: Forneça altas constantes dielétricas, boa estabilidade térmica e compatibilidade com silício, aprimorando o desempenho e a longevidade do microchip.
● Correntes de baixo vazamento: ajude a reduzir o consumo de energia em dispositivos eletrônicos.
3. Estabilidade térmica e química
● Os materiais à base de hafnium oferecem excelente estabilidade a altas temperaturas, tornando-os adequados para aplicações aeroespaciais, nucleares e industriais.
4. Versatilidade na química da coordenação
● Serve como precursor de diversos compostos de coordenação, caminhos de abertura em pesquisas para catalisadores, novos materiais e ciências da superfície.
Conclusão
O tetracloreto de Hafnium 丨 13499-05-3 é um intermediário químico altamente funcional com papéis vitais na indústria de semicondutores, tecnologia nuclear, catálise e síntese de material avançado. Sua utilidade como precursor de filme fino, especialmente para óxido de hafnio em camadas dielétricas de alto k, a posiciona como um material crítico em eletrônicos modernos e nanotecnologia. Com excelentes propriedades térmicas e químicas, o HFCL₄ continua sendo um facilitador essencial da inovação em aplicações de alta eficiência e alta confiabilidade.
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