Tetracloreto de hafnium 丨 cas 13499-05-3

Tetracloreto de hafnium 丨 cas 13499-05-3
Introdução de Produto:
Cas no.: 13499-05-3
Ensaio em peso%\/ grau: 99,9%min\/ hf: 55. 728-57. 2
Nome do produto: tetracloreto de hafnium
Sinônimo (s): cloreto de Hafnium (iv)
Catálogo no.: SS117543
Certificações: ISO9001
Fórmula molecular: CL4HF
Peso molecular: 320.3
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Parâmetros técnicos
Descrição

 

Especificações de tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3

 

Aparência:

Granular branco ou claro

Ensaio em peso%:

99,9% min

HF:

55.728–57.2

AL:

0. 001010% máx

CA:

0. 0015% máx

Cu:

0. 001010% máx

Fe:ã

0. 0020% max

Mg:

0. 001010% máx

MN:

0. 001010% máx

MO:

0. 001010% máx

NB:

0. 01% máx

Ni:ã

0. 003% max

Si:

0. 005% máx

Ti:

0. 001% máx

V:

0. 001% máx

Zn:

0. 001% máx

ZR:

0. 02% máx

 

Informações de transporte do tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3

 

Parâmetro

Especificação

Número da ONU

3260

Aula

8

Grupo de embalagem

Ii

Código HS

8112490000999

Estabilidade e reatividade

Sensível a umidade

Armazenar

Não use recipientes de metal. Sensível à umidade

Condição para evitar

Sensível a umidade

Pacote

 
Visão geral

 

O tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3 é um composto de halogeneto de hafnium, um metal de transição com propriedades químicas semelhantes ao zircônio. O HFCL₄ é usado principalmente como precursor nos processos de deposição de vapor químico (DCV) e deposição da camada atômica (ALD), particularmente em ciência e eletrônica avançadas de materiais.

 

Aplicações deTetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3

 

1. Indústria de semicondutores
Precursor de material dielétrico de alto k
● Processos CVD e ALD: o tetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3 é um precursor-chave para depositar o dióxido de hafnium (HFO₂) filmes finos, que são usados ​​como dielétricos de alto k em microprocessadores e chips de memória.
● Isoladores de porta em dispositivos CMOS: as camadas HFO₂ substituem o SiO₂ tradicional em pilhas de portão de MOSFETs para reduzir as correntes de vazamento e melhorar o desempenho à medida que os transistores encolhem para a escala de nanômetros.
2. Aplicações nucleares
● Componentes de controle do reator nuclear: Hafnium tem uma capacidade excepcional de absorver nêutrons. O tetracloreto de hafnium é usado na produção de metal de Hafnium de alta pureza, que é utilizado em hastes de controle em reatores nucleares.
● Produção metálica do Hafnium: HFCL₄ pode ser reduzida por magnésio ou sódio em um processo de alta temperatura (redução do tipo Kroll) para obter o hafnio metálico.
3. Catalisador e precursor do catalisador
● Catalisador de ácido de Lewis: HFCL₄ funciona como um forte ácido de Lewis, útil na catalisação de reações orgânicas, como acilação, alquilação e polimerizações de Friedel -Crafts.
● Química organometálica: empregada como material inicial para produzir complexos organometálicos à base de hafnium, que são de interesse em pesquisa e catálise (por exemplo, polimerização de olefina).
4. Síntese de materiais avançados
● Nanomateriais e cerâmicas: usados ​​para criar cerâmica, óxidos e materiais de carboneto contendo hafnium com estabilidade de alta temperatura e resistência à corrosão.
● Precursores para revestimentos de super-hard: Na ciência dos materiais, os compostos de hafnium derivados de HFCl₄ são usados ​​para fabricar revestimentos ultra duráveis ​​para ferramentas de corte, componentes aeroespaciais e lâminas de turbinas.
5. Revestimentos ópticos
● O dióxido de hafnium (HFO₂), derivado de HFCL₄, é usado em revestimentos ópticos de alto desempenho:
Revestimentos OANTireflection
Espelhos Olaser
filtros OUV e IR
Seu alto índice de refração e transparência em uma ampla faixa de espectro o tornam um material ideal na indústria de óptica de precisão.

 

Benefícios deTetracloreto de hafnium 丨 13499-05-3

 

1. Alta pureza e adequação para deposição de filme fino
● Volátil e reativo: HFCL₄ sublima facilmente, tornando-o ideal para processos de fase de vapor como ALD\/CVD, garantindo um crescimento uniforme e conforme do filme.
● Deposição controlada: permite o controle da camada atômica, essencial para dispositivos e nanoestruturas de semicondutores de última geração.
2. Propriedades elétricas superiores de derivados
● Filmes finos HFO₂: Forneça altas constantes dielétricas, boa estabilidade térmica e compatibilidade com silício, aprimorando o desempenho e a longevidade do microchip.
● Correntes de baixo vazamento: ajude a reduzir o consumo de energia em dispositivos eletrônicos.
3. Estabilidade térmica e química
● Os materiais à base de hafnium oferecem excelente estabilidade a altas temperaturas, tornando-os adequados para aplicações aeroespaciais, nucleares e industriais.
4. Versatilidade na química da coordenação
● Serve como precursor de diversos compostos de coordenação, caminhos de abertura em pesquisas para catalisadores, novos materiais e ciências da superfície.

 

Conclusão
O tetracloreto de Hafnium 丨 13499-05-3 é um intermediário químico altamente funcional com papéis vitais na indústria de semicondutores, tecnologia nuclear, catálise e síntese de material avançado. Sua utilidade como precursor de filme fino, especialmente para óxido de hafnio em camadas dielétricas de alto k, a posiciona como um material crítico em eletrônicos modernos e nanotecnologia. Com excelentes propriedades térmicas e químicas, o HFCL₄ continua sendo um facilitador essencial da inovação em aplicações de alta eficiência e alta confiabilidade.

 

 

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